1 Stück leitfähige Siliziumkarbid-SiC-Plättchen – 10 x 10 mm Einkristallsubstrat for Strom- und Mikrowellen-HF-Geräte(T: 350μm 4H-N Conduction Type)
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Produktbeschreibung
Leitfähige Siliziumkarbidplättchen for fortschrittliche Halbleiteranwendungen. Ideal for die Herstellung von Leistungsgeräten und Mikrowellen-HF-Geräten auf Siliziumkarbidbasis durch epitaktisches Wachstum. Erhältlich in anpassbaren Dicken von 350 μm, 430 μm und 1000 μm, um spezifische Projektanforderungen zu erfüllen. Wesentliches Grundlagenmaterial for die Entwicklung der Halbleiterindustrie der dritten Generation. Jede Platte misst 10 x 10 mm und gewährleistet so die Kompatibilität mit verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen.
Produktvarianten, Größen und Optionen
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