1 Stück leitfähige Siliziumkarbid-SiC-Plättchen – 10 x 10 mm Einkristallsubstrat for Halbleiteranwendungen(T: 1000μm 4H-N Conduction Type)
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Produktbeschreibung
Leitfähige Siliziumkarbidplättchen for fortschrittliche Halbleiteranwendungen. Ideal for die Herstellung von Leistungsgeräten auf Siliziumkarbidbasis und Mikrowellen-HF-Geräten durch epitaktisches Wachstum. Erhältlich in mehreren Dickenoptionen: 350 μm, 430 μm und 1000 μm, um verschiedenen Projektanforderungen gerecht zu werden. Wesentliche Grundlagenmaterialien for die Entwicklung der Halbleiterindustrie der dritten Generation. Anpassbare Lösungen verfügbar; wir bieten maßgeschneiderte Spezifikationen an, die Ihren Anforderungen entsprechen.
Produktvarianten, Größen und Optionen
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