1 Stück leitfähige Siliziumkarbid-SiC-Plättchen – Einkristallsubstrat for Halbleiteranwendungen(T: 1000μm 4H-N Conduction Type)

Produktbeschreibung

Hochwertige 10 x 10 mm große Siliziumkarbidplättchen (SiC) for fortschrittliche Halbleiteranwendungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit gewährleisten. Ideal for die Produktion von Leistungsgeräten auf Siliziumkarbidbasis und Mikrowellen-HF-Geräten durch epitaktisches Wachstum und Herstellungsverfahren. In mehreren Dickenoptionen (350 μm, 430 μm, 1000 μm) erhältlich, um unterschiedlichen Projektanforderungen und -spezifikationen gerecht zu werden. Der leitfähige Kristalltyp verbessert die elektrische Leistung und ist daher eine entscheidende Komponente bei der Entwicklung von Halbleitertechnologien der dritten Generation. Auf Anfrage sind anpassbare Lösungen erhältlich, mit denen Sie das Produkt an Ihre spezifischen Anwendungsanforderungen anpassen können.