2 x MJ11016G (ONS) NPN-DARL-POWER+DIODE 120V 30A 200W 4MHz TO-3 Transistor.
von ON Semiconductor
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Produktbeschreibung
Verpackung: TO-3; Emitter-Basis-Spannung: 5 V. Typ: NPN; Maße: 30A Anwendungen: Audio-Leistungsverstärkung; Verlustleistung: 200 W. Kollektor-Basis-Spannung: 120 V; Betriebstemperatur: 55 bis +200 °C. Kollektor-Emitter-Spannung: 120 V; Übergangsfrequenz: 4 MHz.
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