4H-HPSI halbisolierter Siliziumkarbid-Wafer – beidseitig poliert, 0,5 mm Dicke, geringe Oberflächenrauheit(5x5mm 5pc)
von TYGIYY
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Produktbeschreibung
Außergewöhnlicher elektrischer Widerstand von 1E5 Ω·CM, ideal for leistungsstarke elektronische Anwendungen. < 0,5 nm und C-Oberflächenrauheit 1,0 nm for überragende Qualität und Leistung. Die Substratdicke von 0,5 mm gewährleistet Haltbarkeit und Zuverlässigkeit in verschiedenen industriellen Anwendungen. Achsenorientierte Oberflächenausrichtung von ± 0,5° for präzise Ausrichtung und verbesserte Geräteleistung. Anpassbare Lösungen zur Erfüllung spezifischer Projektanforderungen verfügbar. Kontaktieren Sie uns for maßgeschneiderte Optionen.
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