4H-N Siliziumkarbid-Wafer – beidseitig polierter SiC-Wafer for fortgeschrittene Anwendungen(20x20mm 1pc)
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Produktbeschreibung
Hochwertiger 4H-N-Siliziumkarbid-Wafer mit beidseitiger Politur for überragende Leistung in Elektronik- und Halbleiteranwendungen. Außergewöhnlicher elektrischer Widerstandsbereich von 0,014–0,028 Ω·CM, der hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen gewährleistet. Präzise Substratdicke von 0,35 mm, die optimale Unterstützung for die Herstellung und Integration fortschrittlicher Geräte bietet.
Produktvarianten, Größen und Optionen
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