4H-N Siliziumkarbid-Wafer – beidseitig polierter SiC-Wafer for fortgeschrittene Anwendungen(5x10mm 3PC)
von YUBAOLI
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Produktbeschreibung
Außergewöhnlicher elektrischer Widerstandsbereich von 0,014–0,028 Ω·CM for optimale Leistung in verschiedenen Anwendungen.
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