4H-N-Siliziumkarbid-Wafer – beidseitig polierter SiC-Wafer for fortschrittliche Halbleiteranwendungen(20x20mm 1pc)
von ZFUWWA
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Produktbeschreibung
Außergewöhnlicher elektrischer Widerstand im Bereich von 0,014 bis 0,028 Ω·CM for optimale Leistung in elektronischen Anwendungen. Präzise Substratdicke von 0,35 mm, ideal for verschiedene Halbleiterherstellungsprozesse.
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