IHW20N120R5XKSA1 igbt TO-247 1200 v Tube - Infineon Technologies
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Produktbeschreibung
Allgemeine Beschreibung Der IHW20N120R5XKSA1 von Infineon Technologies ist ein leistungsstarker IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) im TO-247 Gehäuse. Er bietet eine hohe Spannungsfestigkeit von bis zu 1200 V und ist ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, wie z.B. in Wechselrichtern und Motorsteuerungen. Technische daten Maximale Sperrspannung: 1200 V Maximaler Kollektorstrom: 20 A Gehäuse: TO-247 Schaltverluste: Niedrig Kompatibilität und Zubehör Kompatibel mit verschiedenen Leistungselektronik-Anwendungen Geeignet für den Einsatz in Kombination mit Kühlkörpern Installation Einfach zu montieren im TO-247 Gehäuse Empfohlene Verwendung von Wärmeleitpaste zur Verbesserung der Wärmeableitung Anwendung Wechselrichter Motorsteuerungen Industrielle Anwendungen
Produktvarianten, Größen und Optionen
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