Leitfähige Siliziumkarbid-SiC-Plättchen – 10 x 10 mm, Einkristallsubstrat for Halbleiteranwendungen, 1er-Pack(T: 350μm 4H-N Conduction Type)

Produktbeschreibung

Hochwertige Siliziumkarbidplättchen for Halbleiteranwendungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit in Leistungs- und Mikrowellen-HF-Geräten gewährleisten. Erhältlich in der Größe 10 x 10 mm mit anpassbaren Dickenoptionen von 350 μm, 430 μm und 1000 μm, um unterschiedlichen Projektanforderungen gerecht zu werden. Ideal for den Einsatz bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen der dritten Generation, zur Verbesserung der Effizienz und Wärmeleitfähigkeit in elektronischen Anwendungen. Erleichtert fortgeschrittene epitaktische Wachstumsprozesse und ist daher die perfekte Wahl for Forscher und die Halbleiterindustrie. Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen for Ihre spezifischen Anforderungen und stellen sicher, dass Sie das richtige Substrat for Ihre innovativen Projekte erhalten.