Leitfähiger 4H-HPSI halbisolierter Siliziumkarbid-Wafer – doppelseitig polierter SiC-Wafer for fortschrittliche Halbleiter(20x20mm 1pc)

Produktbeschreibung

4H-HPSI halbisolierter Siliziumkarbid-Wafer for fortschrittliche Halbleiteranwendungen mit außergewöhnlicher Leistung. < 0,5 nm und C-Oberflächenrauheit 1,0 nm for optimale Geräteherstellung. Der elektrische Widerstand von 1E5 Ω·CM bietet hervorragende Leitfähigkeit und Zuverlässigkeit for leistungsstarke elektronische Komponenten. Die Substratdicke von 0,5 mm bietet eine robuste Plattform for verschiedene Anwendungen und gewährleistet Haltbarkeit und Leistungsstabilität. Anpassbare Optionen zur Erfüllung spezifischer Projektanforderungen verfügbar. Kontaktieren Sie uns for maßgeschneiderte Lösungen zur Verbesserung Ihres Halbleiterherstellungsprozesses.