Leitfähiger 4H-N-Siliziumkarbid-Wafer – beidseitig polierter SiC-Wafer for fortgeschrittene Anwendungen(10x10mm 2PC)
von UGUGU
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Produktbeschreibung
Außergewöhnlicher elektrischer Widerstandsbereich von 0,014–0,028 Ω·CM, ideal for Halbleiteranwendungen. Die präzise Substratdicke von 0,35 mm gewährleistet die Kompatibilität mit verschiedenen fortschrittlichen Herstellungsprozessen.
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