Leitfähiger 4H-N-Siliziumkarbid-Wafer – beidseitig polierter SiC-Wafer for fortgeschrittene Anwendungen(20x20mm 1pc)
von DDSTTLK
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Produktbeschreibung
Außergewöhnlicher elektrischer Widerstandsbereich von 0,014–0,028 Ω·CM, ideal for hocheffiziente elektronische Anwendungen.
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