Leitfähiger 4H-N-Siliziumkarbid-Wafer – beidseitig polierter SiC-Wafer for fortgeschrittene Anwendungen(20x20mm 1pc)
von OGIZQNHA
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Produktbeschreibung
Außergewöhnlicher elektrischer Widerstand im Bereich von 0,014 bis 0,028 Ω·CM, ideal for Anwendungen. Präzise Substratdicke von 0,35 mm, die optimale Leistung in verschiedenen Halbleiterprozessen gewährleistet.
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