Leitfähiger 4H-N-Siliziumkarbid-Wafer – doppelseitig polierter SiC-Wafer for fortschrittliche Anwendungen(10x10mm 2PC)
von PYSyansu
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Produktbeschreibung
Außergewöhnlicher elektrischer Widerstand im Bereich von 0,014 bis 0,028 Ω·CM, ideal for Hochleistungsanwendungen. Die präzise Substratdicke von 0,35 mm gewährleistet optimale Leistung in verschiedenen elektronischen Geräten und Systemen.
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